快科技1月6日消息,据媒体爆料,苹果m3 ultra新品会在今年年中登场,这颗芯片首次采用台积电n3e工艺节点。
据了解,已经上市的m3、m3 pro和m3 max等芯片采用台积电n3b工艺,a17 pro也是n3b工艺。
而接下来要发布的m3 ultra以及a18系列芯片都将会采用n3e工艺节点。
资料显示,台积电规划了多达五种3nm工艺,分别是n3b、n3e、n3p、n3s和n3x,其中n3b是其首个3nm节点,已经量产,n3e是n3b的增强版,但从台积电已经披露的技术资料来看,栅极间距并不如n3b。
不仅如此,第一代3nm n3b成本高、良率低,只有70%-80%之间,这意味着芯片制造过程中有至少20%的产品存在缺陷,而n3e良率高、成本低,性能会略低于n3b。
业内人士指出,台积电n3b的良率和金属堆叠性能很差,基于这些原因,n3b不会成为台积电的主要节点,相比之下,n3e将使用更少的euv光刻层,从25层缩减到21层,投产难度更低,良率也能更高,成本自然得以下降,但是晶体管密度会降低。
总而言之,m3 ultra将是苹果史上最强悍的3nm芯片,搭载m3 ultra的第一款设备是苹果mac studio,新品也将会在今年年中登场,值得期待。
编辑:齐少恒
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