随着制程节点迈入7nm，euv极紫外光刻工艺将在未来的半导体芯片制造上成为主流。近日，三星宣布将率先为dram内存颗粒生产引入euv工艺。
三星表示，将从第四代10nm级(d1a)dram或高端级14nm级dram开始全面导入euv，2021年大规模量产的ddr5和lpddr5内存芯片将因此受益，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。根据三星此前判断，evu工艺将帮助其将制程节点 推进到3nm，那么在未来7nm、5nm制程节点上，euv将发挥极大作用。
编辑：齐少恒
相关热词搜索：
上一篇：新款macbook air拆解：散热片变大/整体更好拆 下一篇：苹果更新换购计划 ipad pro 2018款最高可抵3400元
