随着制程节点迈入7nm,euv极紫外光刻工艺将在未来的半导体芯片制造上成为主流。近日,三星宣布将率先为dram内存颗粒生产引入euv工艺。
三星表示,将从第四代10nm级(d1a)dram或高端级14nm级dram开始全面导入euv,2021年大规模量产的ddr5和lpddr5内存芯片将因此受益,预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。根据三星此前判断,evu工艺将帮助其将制程节点 推进到3nm,那么在未来7nm、5nm制程节点上,euv将发挥极大作用。
编辑:齐少恒
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