近日消息，索尼新一代旗舰手机xperia 1
v在香港的户外宣传海报流出，并称新机将搭载“次世代双倍低噪感光元件”。早在4月27日，索尼官博@索尼-xperia
便宣布即将在5月11日发布新一代旗舰手机xperia 1 v。
从海报能够看到，索尼xperia 1 v的外观与前代差别不大，使用了直角边框设计，后盖延续了竖条形摄像头deco，辅以中置索尼logo彰显身份。此外，能够看到此次xperia 1 v将会有三颗摄像头，且仍然使用了蔡司t*镜头镀膜。
官博称，索尼xperia新品将搭载“next-gen sensor”(次世代传感器)，结合户外海报所称“次世代双倍低噪传感器”，预计此次索尼xperia 1 v在影像硬件方面将搭载一种“双层晶体管像素结构”堆栈式cmos传感器(stacked cmos image sensor technologywith 2-layer transistor pixel)。
(传统堆栈式cmos与新型双层结构堆栈式cmos传感器结构区别示意图)
2021年12月16日，索尼半导体发布了这一种全新的cmos传感器。从命名和结构示意图可以看出，这种cmos传感器类似于已广泛使用的堆栈式cmos传感器。
传统堆栈式cmos单颗像素由光电二极管与像素晶体管组成，并将处理电路放置在最下方以取代背照/前照式cmos传感器的基板，大幅提升了图像处理能力。
而新型的双层结构堆栈式cmos传感器则是将用于感光的光电二极管与用于放大信号的像素晶体管分离，将像素晶体管移至光电二极管下方，加上处理电路共同组成新的堆栈结构。
这一做法使得光电二极管可以获得更大的感光面积。而像素晶体管也由于具备更大的空间，降低了信号放大时的杂讯，能够生成噪点更少观感更纯净的图像。索尼表示，双层结构cmos大约“将饱和信号水平提高了一倍”。
但据消息称，将光电二极管堆叠在晶体管上需要极高的对准精度，而且键合温度远高于普通cmos传感器的结构，这使得大规模生产双层结构堆栈式cmos传感器的难度非常高。
编辑点评：索尼不愧是“技术狂人”，若其实际表现与索尼说法相符，那么这一新型cmos将改变现有影像器材的格局，35mm全画幅cmos也能够达到44x33中画幅cmos的感光能力，更不用说能够给手机上更小的cmos带来多大的提升。若此次xperia 1 v搭载了这一新型cmos，猜测索尼目前的制造工艺可能只是能够生产物理上较小的cmos，而要生产更大画幅cmos则可能需要更多的时间攻克技术难题。
编辑：齐少恒
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