intel下一代可扩展至强代号sapphire rapids,将在明年正式发布,继续采用10nm工艺,但会全面升级架构,核心数也是大幅增加。
早先有消息称,sapphire rapids最多集成60个核心,内部分成四组,每组15个,类似amd的小芯片设计,但只会开启56个,后来还有说法称,最多会做到80个核心。
现在,多次曝料sapphire rapids规格、实物的网友yuuki_ans首次公布了它的内核照,是四个小芯片之一,可以明显看到确实有15个核心,分成三排布局,但其中一个会被屏蔽掉。
另据透露,这颗样品还是es0阶段的早期工程样品,频率仅有1.3ghz,同时集成了64gb hbm2e内存。
至于为何出厂就屏蔽4个核心,显然是出于保证良品率、供货量的考虑,后续后期成熟了不排除满血全开的可能。
看起来,10nm superfin增强版工艺,也还是不十分给力啊。
根据目前掌握的情报,sapphire rapids将采用10nm superfin加强版工艺制造,首发支持ddr5内存,最高八通道、4800mhz频率,同时首次集成hbm2高带宽内存,最多64gb,并支持下一代傲腾持久内存,随机访问带宽提升多达2.6倍。
技术方面,首发支持pcie 5.0,最多80条通道,多路互连通道升级为四条upi 2.0,每路带宽16gt/s,还支持cxl 1.1高速互连总线,也可以通过pcie 5.0、cxl连接独立的fpga加速器,指令集方面支持int8、bfloat16精度的amx、tmiul。
功耗也相当惊人,tdp上限从270w提高到350w,据说还能解锁400w。
编辑:齐少恒
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